Запис Детальніше

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла

Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла
Сенсор магнитного поля на базе магниторезистора и элемента Холла
Magnetic sensor based on magnetoresistor and Hall element
 
Creator Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Білилівська, Ольга Петрівна
Осадчук, Ярослав Олександрович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Билиливская, Ольга Петровна
Осадчук, Ярослав Александрович
Osadchyk, Volodymyr Stepanovych
Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych
Bilylivska, Olha Petrivna
Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych
 
Subject H01L 29/82
H01L 29/82
H01L 43/00
G01R 33/06
контрольно-вимірювальна техніка
напівпровідникова електроніка
системи автоматичного керування
сенсор магнітного поля
магніторезистор
елемент Холла
 
Description Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема. Введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий транзистор, біполярний транзистор, елемент Холла, шість резисторів і дві ємності.
Сенсор магнитного поля на базе магниторезистора и элемента Холла содержит магниторезистор, источник постоянного напряжения, резистор, общую шину и две выходные клеммы, причем второй вывод первого резистора подключен к первому выводу магниторезистора, второй полюс источника постоянного напряжения соединен с общей шиной, к которой подключена вторая выходная клемма. Введены биполярный двухколлекторный транзистор, полевой двухстоковый транзистор, биполярный транзистор, элемент Холла, шесть резисторов и две емкости.
A magnetic sensor based on a magnetoresistor and a hall element comprises a magnetoresistor, a DC source, a resistor, a global bus and two output terminals, the second lead of first resistor is connected to the first terminal of first magnetoresistor, the second pole of DC source is connected to the global bus, the second terminal is also connected to the global bus. A bipolar double-collector transistor, a field-effect double drain transistor, a bipolar transistor, a hall element, six resistors and two capacitors are introduced.
 
Date 2015-08-19T10:01:51Z
2015-08-19T10:01:51Z
2014-01-10
 
Type Patent
 
Identifier 86604
Пат. 86604 UA, МПК H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06. Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. П. Білилівська, Я. О. Осадчук (Україна). - № u201306537 ; заявл. 27.05.2013 ; опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1. - 5 с. : кресл.
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1597
 
Language uk_UA
 
Publisher Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)