Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору
Микроэлектронное шестизондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления Microelectronic six-probe device for measuring semiconductor resistance |
|
| Creator |
Нікешин, Юрій Ігорович
Осадчук, Олександр Володимирович Никешин, Юрий Игоревич Осадчук, Александр Владимирович Nikeshyn, Yurii Ihorovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych |
|
| Subject |
H01L 21/66
G01R 31/26 вимірювальна техніка електрофізичні параметри матеріалів мікроелектронний пристрій вимірювання напівпровідникового опору |
|
| Description |
Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення. Введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення, та польовим транзистором, до якого підключені третій та четвертий зонди.
Микроэлектронное шестизондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления содержит катушку индуктивности, подключенную к источнику питания. Введены шесть зондов, активный индуктивный элемент, второй и третий источник питания, три резистора, два биполярных транзистора, к которым подключена первая и вторая емкость, каждая из которых соединена с активным индуктивным элементом и вторым источником питания, и полевым транзистором, к которому подключены третий и четвертый зонды. A microelectronic six-probe device for measuring semiconductor resistance comprises an inductance coil connected to a power source. There are introduced six probes, an active inductance element, the second and third power sources, three resistors, two bipolar transistors, first and second capacitance connected to said transistors, each of which is connected to the active inductive element and second power source, and a field-effect transistor, to which the third and fourth probes are connected. |
|
| Date |
2015-08-26T07:32:38Z
2015-08-26T07:32:38Z 2012-11-12 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
74631
Пат. 68937, МПК H01L 21/66, G01R 31/26. Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору [Текст] / Ю. І. Нікешин, О. В. Осадчук (Україна). - № u201203174 ; заявл. 19.03.2012 ; опубл. 12.11.2012, Бюл. № 21. - 4 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1633 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|