Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності
Полупроводниковое устройство для измерения плотности оптической мощности Semiconductor device for measurement of density of optical power |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Ільченко, Олена Миколаївна Савчук, Богдан Сергійович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Ильченко, Елена Николаевна Савчук, Богдан Сергеевич Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Ilchenko, Olena Mykolaivna Savchuk, Bohdan Serhiiovych |
|
| Subject |
G01R 19/25
контрольно-вимірювальна техніка автоматичне керування технологічними процесами технологічний процес оптична потужність напівпровідниковий пристрій |
|
| Description |
Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності містить джерело постійної напруги, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому другий вивід другого конденсатора і другий полюс джерела постійної напруги підключені до загальної шини, причому введено біполярний транзистор, двозатворний МДН-транзистор, третій, четвертий і п'ятий конденсатори, пасивну індуктивність, сонячну батарею, варікап, причому перший вивід першого конденсатора з'єднаний з першим виводом першого резистора та базою біполярного транзистора, другий вивід першого резистора з'єднаний з другим виводом пасивної індуктивності, першим виводом другого конденсатора і першим полюсом джерела постійної напруги, при цьому витік двозатворного МДН-транзистора з'єднаний з емітером біполярного транзистора.
Полупроводниковое устройство для измерения плотности оптической мощности содержит источник постоянного напряжения, первый и второй конденсаторы, первый и второй резисторы, общую шину, причем второй вывод второго конденсатора и второй полюс источника постоянного напряжения подключены к общей шине, причем введен биполярный транзистор, двухзатворный МДП-транзистор, третий, четвертый и пятый конденсаторы, пассивную индуктивность, солнечную батарею, варикап, причем первый вывод первого конденсатора соединен с первым выводом первого резистора и базой биполярного транзистора, второй вывод первого резистора соединен со вторым выводом пассивной индуктивности, первым выводом второго конденсатора и первым полюсом источника постоянного напряжения, при этом исток двухзатворного МДП-транзистора соединен с эмиттером биполярного транзистора. Semiconductor device for measurement of density of optical power includes a source of direct voltage, the first and the second poles of the source of direct voltage are connected to common bus, at that there is included a bipolar transistor, two-gate MDS transistor, the third, fourth and fifth capacitors, passive inductivity, solar battery, varicap, at that the first output of the first capacitor is connected to the first output of the first resistor and the base of bipolar transistor, the second output of the first resistor if connected to the second output of passive inductivity, first output of the second capacitor and first pole of source of direct voltage, at that the sink of two-gate MDS transistor is connected to emitter of the bi-polar transistor. |
|
| Date |
2015-09-10T08:48:07Z
2015-09-10T08:48:07Z 2011-10-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
64807
Пат. 64807 UA, МПК G01R 19/25. Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, Б. С. Савчук (Україна). - № u201103006 ; заявл. 14.03.2011 ; опубл. 25.11.2011, Бюл. № 22. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1734 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|