Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
|
|
| Creator |
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В. Барабан, С. В. Ільченко, О. М. |
|
| Subject |
фотореактивний ефект
МДН-транзистор від'ємний опір рівняння перенесення |
|
| Description |
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
|
|
| Date |
2015-11-20T10:29:38Z
2015-11-20T10:29:38Z 2008-06 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, О. М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98.
1997-9266 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2274 621.383.8 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|