Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора
The research of the immitance circle parameters for two-parameter immitance convertor on the basis of field-effect transistor |
|
| Creator |
Філинюк, М. А.
Ліщинська, Л. Б. Лазарєв, О. О. Ткачук, Я. С. Филинюк, Н. А. Лищинская, Л. Б. Лазарев, А. А. Ткачук, Я. С. Filinyuk, M. A. Lishchynska, L. B. Lazarev, A. A. Tkachuk, Y. S. |
|
| Subject |
узагальнений перетворювач імітансу
імітансне коло польовий транзистор імітанс generalized immitance convertor immitance circle field-effect transistor immitance |
|
| Description |
Метою дослідження є визначення основних параметрів імітансних кіл багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено залежності критичних точок імітансного кола конвертора імітансу в діапазоні перетворених імітансів омічного, ємнісного та індуктивного характеру. Показано, що багатопараметричні конвертори імітансу на основі польової транзисторної структури є перспективними елементами для реалізації на їх основі адаптивних генераторних давачів.
The purpose of the study is to determine the basic parameters of multiparameter generalized immitance convertors immitance circles on the basis of FET. The research of the main immitance circle parameters for the immitance convertor was conducted in the range of converted resistive, capacitive and inductive immitances. The research results proved that multiparameter immitance convertors on the basis of FET are perspective elements for adaptive oscillator sensors implementation. Целью исследования является определение основных параметров иммитансних кругов многопараметрических обобщенных преобразователей иммитанса на основе полевого транзистора. Исследованы зависимости критических точек иммитансного круга конвертора иммитанса в диапазоне преобразованных иммитансов омического, емкостного и индуктивного характера. Показано, что многопараметрические конверторы иммитанса на основе полевой транзисторной структуры являются перспективными элементами для реализации на их основе адаптивных генераторных датчиков. |
|
| Date |
2015-12-03T14:00:55Z
2015-12-03T14:00:55Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора [Текст] / Л. Б. Ліщинська, Я. С. Ткачук, О. О. Лазарєв, М. А. Філинюк // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технічні науки". - 2013. - № 4. - С. 158-163.
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2457 621.396 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Relation |
Технічні науки
|
|
| Publisher |
Хмельницький національний університет
|
|