Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом
Микроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементом Microelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric element |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Барабан, Сергій Володимирович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Барабан, Сергей Владимирович Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Baraban, Serhii Volodymyrovych |
|
| Subject |
G01K 7/00
контрольно-вимірювальна техніка мікроелектронний пристрій вимірювання температури піроелектричний елемент |
|
| Description |
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. Введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий конденсатор.
Микроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементом содержит полевой транзистор, конденсатор, резистор, первый и второй источники напряжения, общую шину. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. Введены два биполярных транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, второй конденсатор. Microelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric element includes field transistor, capacitor, resistor, first and second power sources, common bus. To gate of field transistor film of pyroelectric is sputtered, and radiation absorber. Two bipolar transistors are included, with sputtered on base film of pyro-electric and radiation absorber, second capacitor. |
|
| Date |
2015-12-10T08:54:31Z
2015-12-10T08:54:31Z 2009-06-10 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
41856
Пат. 41856 UA, МПК G01K 7/00. Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан (Україна). - № u200900483 ; заявл. 23.01.2009 ; опубл. 10.06.2009, Бюл. № 11. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2599 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|