Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин
Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин Method for plasma etch chemistry of semiconductor wafers |
|
| Creator |
Каракулова, Аліна Іванівна
Кравченко, Сергій Юрійович Кравченко, Юрій Степанович Каракулова, Алина Ивановна Кравченко, Сергей Юрьевич Кравченко, Юрий Степанович Karakulova, Alina Ivanivna Kravchenko, Serhii Yuriiovych Kravchenko, Yurii Stepanovych |
|
| Subject |
H01L 21/02
електронна техніка плазмохімічне травлення шари інтегральних мікросхем напівпровідникові пластини |
|
| Description |
Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин полягає у тому, що травлення проводять у плазмі, яку утворюють електричним розрядом у вакуумній камері при постійному напусканні і відкачуванні робочого газу. Контроль моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення проводять за допомогою двох електричних зондів, які вводять в зону розряду, перший з яких розташовують біля напівпровідникової пластини зі сторони відкачування, а другий - зі сторони напускання робочого газу на такій же відстані від пластини. Значення величин плаваючого потенціалу плазми, які реєструють першим і другим електричними зондами, перетворюють в електричні частотні сигнали, частота яких залежить від величини плаваючого потенціалу плазми. Самі частотні сигнали порівнюють між собою і за величиною різниці частот визначають момент закінчення процесу плазмохімічного травлення.
Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин заключается в том, что травление проводят в плазме, которую образуют электрическим разрядом в вакуумной камере при постоянном напуске и откачивании рабочего газа. Контроль момента окончания процесса плазмохимического травления проводят с помощью двух электрических зондов, которые вводят в зону разряда, первый из которых располагают возле полупроводниковой пластины со стороны откачивания, а второй – со стороны напуска рабочего газа на таком же расстоянии от пластин. Значение величин плавающего потенциала плазмы, которые регистрируют первым и вторым электрическими зондами, преобразуют в электрические частотные сигналы, частота которых зависит от величины плавающего потенциала плазмы. Сами частотные сигналы сравнивают между собой и по величине разницы частот определяют момент окончания процесса плазмохимического травления. A method for plasma etch chemistry of semiconductor wafers consists in realization of etching in plasma formed by electric discharge in a vacuum chamber with puffing and degassing actuation gas. Control of plasma etch chemistry process end is fulfilled with two electrical probes, which are brought in charging zone, a first one is located near semiconductor wafer from degassing side, a second one – from side of actuation gas puffing at the same distance from wafers. Values of floating voltage, which are registered by the first and second electrical probes, are transformed into electrical frequency signals, frequency of which is dependent from value of plasma floating voltage. Frequency signals are compared one with another, by difference value, a moment of plasma etch chemistry process end is determined. |
|
| Date |
2015-12-11T10:20:30Z
2015-12-11T10:20:30Z 2009-06-10 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
41790
Пат. 41790 UA, МПК H01L 21/02. Спосіб плазмохімічного травлення напівпровідникових пластин [Текст] / А. І. Каракулова, С. Ю. Кравченко, Ю. С. Кравченко (Україна). - № u200814785 ; заявл. 22.12.2008 ; опубл. 10.06.2009, Бюл. № 11. - 2 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2612 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|