Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього
Способ изготовления кремния и слоев из него Process for silicon production and layers thereof |
|
| Creator |
Новіков, Анатолій Олександрович
Новиков, Анатолий Александрович Novikov, Anatolii Oleksandrovych |
|
| Subject |
C01B 33/02
плазмове одержання кремнію виробництво сонячних елементів шари кремнію |
|
| Description |
Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього включає генерування газової плазми в реакторі за допомогою електродів, інжектування в нього сировини, яка містить кремнезем і відновлювач. Генерування плазми здійснюють запалюванням між електродами високовольтного тліючого розряду. Сировину, що містить кремнезем, або виріб з неї поміщають у катодну зону високовольтного тліючого розряду і опромінюють потоком іонів та швидких атомів, що утворюються в високовольтному тліючому розряді, а також потоком квантів від джерела випромінювання. В плазмову зону високовольтного тліючого розряду подають технологічний газ та відновлювач, що містить вуглеводень.
Способ изготовления кремния и слоев из него включает генерирование газовой плазмы в реакторе с помощью электродов, инжектирование в него сырья, содержащего кремнезем и восстановитель. Генерирование плазмы осуществляют запаливанием между электродами высоковольтного тлеющего разряда. Сырье, содержащее кремнезем, или изделие из него помещают в катодную зону высоковольтного тлеющего разряда и облучают потоком ионов и быстрых атомов, образующихся в высоковольтном тлеющем разряде, а также потоком квантов от источника излучения. В плазмовую зону высоковольтного тлеющего разряда подают технологический газ и восстановитель, содержащий углеводород. A process for silicon production and layers thereof comprises the generation of gaseous plasma in a reactor using electrodes, injecting of raw material, containing silica and reducing agent, into silicon. The generation of plasma is carried out by firing of high voltage glow discharge between the electrodes. The raw material, containing silica, or product of it, is placed into the cathode zone of high voltage glow discharge and irradiated by ion and fast atoms flow, being formed in high voltage glow discharge, and also by quanta flow from the radiation source. Process gas and reducing agent, containing hydrocarbon, are supplied into the plasma zone of high voltage glow discharge. |
|
| Date |
2015-12-11T10:26:40Z
2015-12-11T10:26:40Z 2009-05-12 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
41317
Пат. 41317 UA, МПК C01B 33/02. Спосіб виготовлення кремнію і шарів з нього [Текст] / А. О. Новіков (Україна). - № u200900493 ; заявл. 23.01.2009 ; опубл. 12.05.2009, Бюл. № 9. - 3 с. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2614 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|