Декогерентизация ііі-n низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Декогерентизация ііі-n низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров
Декогеренції ііі-n низькорозмірні наноструктур квантових процесорів |
|
| Creator |
Осинський, В. И.
Масол, И. В. Оначенко, М. С. Суший, А. В. |
|
| Subject |
декогерентизація
квантові точки кубіт нітриди самоорганізовані структури декогерентизация квантовые точки кубит нитриды самоорганизованные структуры |
|
| Description |
У роботі пропонується збільшення часу когерентного стану при кімнатних температурах використанням квантових точок всередині монокристаллической структури з великою шириною забороненої зони, зокрема, прямозоні матеріалів нітриду галію або алюмінію, вирощених в нанореакторах анодного оксиду алюмінію або оксиду кремнію, отриманого в порах оксиду алюмінію. Наші результати показують ефективність застосування таких самоорганізованих структур з метою створення масивів квантових точок, стійких до процесів декогеренції. У порівнянні з іншими технологіями створення квантового комп'ютера, використання широкозонних прямозоні бездефектних матеріалів забезпечує роботу пристроїв при кімнатній температурі.
В работе предлагается увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны, в частности, прямозонных материалов нитрида галлия или алюминия, выращенных в нанореакторах анодного оксида алюминия или оксида кремния, полученного в порах оксида алюминия. Наши результаты показывают эффективность применения таких самоорганизованных структур с целью создания массивов квантовых точек, устойчивых к процессам декогерентизации. В сравнении с другими технологиями создания квантового компьютера, использование широкозонных прямозонных бездефектных материалов обеспечивает работу устройств при комнатной температуре. In the work proposes an increase in the time of the coherent state at room temperature by using quantum dots inside the single crystal structure with a large band gap, in particular, direct-gap materials or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide , resulting in the pores of alumina . Our results show the effectiveness of such self-organized structures in order to create arrays of quantum dots that are resistant to decoherence |
|
| Date |
2016-01-15T13:49:06Z
2016-01-15T13:49:06Z 2014-08-01 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Декогерентизация ііі-n низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров [Текст] / В. И. Осинський, И. В. Масол, М. С. Оначенко, А. В. Суший // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2014. - № 1. - С. 62-72.
2311-2662 1681-7893 http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3231 004.032.84 |
|
| Language |
ru_RU
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|