Нанокарбидные процессы при мос-эпитаксии ііі-нитридных структур
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Нанокарбидные процессы при мос-эпитаксии ііі-нитридных структур
Нанокарбидные процессы при мос-эпитаксии ііі-нитридных структур |
|
| Creator |
Осинский, В. И.
Ляхова, Н. Н. Масол, И. В. Грунянская, В. П. Деминский, П. В. Суховий, Н. О. Стонис, В. В. Оначенко, М. С. |
|
| Subject |
нанокарбид
эпитаксия III-нитриды фуллерены графены углеродныенанотрубки |
|
| Description |
Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (Т=1050оС, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 – 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (Т = 1000оС, газ-носитель азот, t = 1 мин).
Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (Т=1050оС, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 – 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (Т = 1000оС, газ-носитель азот, t = 1 мин). The possibility of optoelectronic devices forming with the variety of carbon nanostructures are described. An anomalous anisotropic conductivity of the semiconductor character of the temperature dependance of the nonocarbid c-sapphire was first time receive. The article views an active influence of the temperature of c-sapphire surface treatment in ammonia current ( Т=1050оС, t = 20 min in the reactor at a pressure of about 20-50 mbar) for further formation of nanocarbide structures in nanotexturize sapphire in |
|
| Date |
2016-01-15T13:59:09Z
2016-01-15T13:59:09Z 2013-10-11 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Нанокарбидные процессы при мос-эпитаксии ііі-нитридных структур [Текст] / В. И. Осинский, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол [та ін.] // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2012. - № 1. - С. 62-72.
2311-2662 1681-7893 http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/251 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3318 621.315.592.2 |
|
| Language |
ru_RU
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|