Управление свойствами сложных iii-оксидных нанокристаллических элементов в технологии оптоэлектронных приборов на нитридах галлия, индия и алюминия
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Управление свойствами сложных iii-оксидных нанокристаллических элементов в технологии оптоэлектронных приборов на нитридах галлия, индия и алюминия
Управління властивостями складних iii-оксидного нанокристалічних елементів у технології оптоелектронних приладів на нітриду галію, індія і алюмінію |
|
| Creator |
Осинский, В. И.
Дяченко, О. Д. Деминский, П. В. |
|
| Description |
В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена.
У роботі розглянуті властивості III - оксидів , типу ( AB ) 2C3 , де A і B - катіони (метали III - групи) , а C - аніони (кисень ) , як структурних елементів оптоелектронних інформаційних енергетичних систем . Більш детально описаний ( AlGa ) 2O3 : процес заміщення атомів катіонів Ga в кристалічній решітці оксиду Ga2O3 атомами катіонів Al і керування властивостями. Подібний оксид виходить шляхом магнетронного напилення металів Al і Ga на кремнієву пластину і подальшим окисленням отриманої плівки AlGa електролітичним методом . При концентрації Ga = 93 % , а Al = 7% вдається досягти ідеального узгодження з GaN за параметрами решітки b , c . Також досліджувалися оксиди галію , індію та алюмінію , утворені окисленням моноатомного шарів арсеніду галію , фосфіду індію та арсеніду галію - алюмінію , виявлено наявність багатоатомних утворень - кластерів галію , галію - алюмінію , індію або галію - індію - алюмінію. Встановлено залежність кількості кластерів від ступеня легування твердих розчинів домішкою селену. In this paper of the III-oxides properties such (AB)2C3, where A and B are cations (metals of III- group), and |
|
| Date |
2016-01-15T14:05:15Z
2016-01-15T14:05:15Z 2013-10-21 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Осинский, В. И. Управление свойствами сложных iii-оксидных нанокристаллических элементов в технологии оптоэлектронных приборов на нитридах галлия, индия и алюминия [Текст] / В. И. Осинский, О. Д. Дяченко, П. В. Деминский // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2010. - № 2. - С. 122-130.
2311-2662 1681-7893 http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3375 621.315.592.2 |
|
| Language |
ru_RU
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|