Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу
|
|
| Creator |
Ліщнська, Л. Б.
|
|
| Subject |
імітанс
узагальнений перетворювач імітансу оптимізація напівпровідникова структура |
|
| Description |
Розроблено методи оптимізації багатоелектродної напівпровідникової структури, використовуваної як перетворювач імітансу; сформульована цільова функція оптимізації, розроблено критерії оптимізації та проведена порівняльна оцінка їх переваг і недоліків.
Разработаны методы оптимизации многоэлектродной полупроводниковой структуры, используемой как преобразователь иммитанса; сформулирована целевая функция оптимизации, разработаны критерии оптимизации и проведена сравнительная оценка их преимуществ и недостатков. The methods of optimization of multielectrode semiconductor structure, in-use as a transformer of immittance is developed; the objective function of optimization is formulated, the criteria of optimization are developed and the comparative estimation of their advantages and failings is conducted. |
|
| Date |
2016-01-15T14:05:18Z
2016-01-15T14:05:18Z 2013-10-21 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ліщнська, Л. Б. Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу [Текст] / Л. Б. Ліщнська // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2010. - № 2. - С. 131-134.
2311-2662 1681-7893 http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/182 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3376 621. 382 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|