Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
|
|
| Creator |
Житарюк, В. Г.
Годованюк, В. М. Докторович, І. В. |
|
| Subject |
фотоелектричний приймач
кремній параметри поверхні іоннетравлення оптичне випромінювання |
|
| Description |
В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Исследуется влияние ионного травления поверхностей кремния на основные параметры фотодиодов, изготовленых на этих поверхностях. Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated. |
|
| Date |
2016-01-15T14:15:03Z
2016-01-15T14:15:03Z 2013-11-11 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Житарюк, В. Г. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію [Текст] / В. Г. Житарюк, В. М. Годованюк, І. В. Докторович // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2009. - № 1. - С. 137-140.
2311-2662 1681-7893 http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3482 621.317.799.2 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|