Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах
|
|
| Creator |
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В. |
|
| Subject |
магнітне поле
сенсори біполярний транзистор |
|
| Description |
Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу. |
|
| Date |
2016-01-21T11:33:17Z
2016-01-21T11:33:17Z 2011-11-21 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Осадчук В. С. Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2011. - № 3. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289.
2307-5376 http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/289 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4667 681.382 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|