Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази
|
|
| Creator |
Лебедь, О. М.
|
|
| Subject |
арсенід галію
епітаксійний шар вісмут дислокації фронт кристалізації |
|
| Description |
Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ. |
|
| Date |
2016-01-21T11:53:28Z
2016-01-21T11:53:28Z 2013-11-26 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Лебедь О. М. Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2013. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365.
2307-5376 http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4753 539.23:532.78 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|