Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
|
|
| Creator |
Слободян, І. В.
|
|
| Subject |
зміна фази
швидкість увімкнення-вимкнення кристалізація-аморфізація |
|
| Description |
Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмуванняенергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкістьувімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.
|
|
| Date |
2016-01-21T12:10:38Z
2016-01-21T12:10:38Z 2014-10-28 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Слободян І. В. Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн [Електронний ресурс] / І. В. Слободян // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2014. - № 3. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/417.
2307-5376 http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/417 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4803 621.397 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|