Фотореактивний ефект в мдн-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотореактивний ефект в мдн-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу
The photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel Фотореактивный эффект в мдп-транзисторных структурах с двухсторонним освещением канала |
|
| Creator |
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В. Ільченко, О. М. Барабан, С. В. |
|
| Description |
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
Проведен анализ фотореактивного эффекта в МДП-транзисторных структурах с двусторонним освещением канала на основе решения уравнение непрерывности носителей заряда в канале транзистора при воздействии света, что дало возможность теоретически рассчитать полное сопротивление канала и получить аналитическую зависимость его составляющих от мощности оптического излучения. The analysis of photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel on the basis of the solution of equation of continuity of charge transmitters in the channel of transistor under the influence of light is conducted. It enabled the possibility to calculate in theoretically complete resistance of the channel and obtain analytical dependence of its constituents on power of optical radiation. |
|
| Date |
2016-01-26T14:36:51Z
2016-01-26T14:36:51Z 2010-11-12 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотореактивний ефект в мдн-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, С. В. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98.
1997-9274 1997-9266 http://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/626 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/5833 621.383.8 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|