Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах
|
|
| Creator |
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О. |
|
| Subject |
від'ємний опір
транзисторна структура з від'ємним опором тиск вага частотний вимірювальний перетворювач deformation effect frequency sensator tensor sensible element |
|
| Description |
The paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed dependence of the threshold voltage, saturation voltage, gate-source voltage of the pressure action. Most dependence of these parameters on the pressure observed at work MOS transistor in saturation at high pressures greater than 108 Pa. |
|
| Date |
2016-02-18T12:20:41Z
2016-02-18T12:20:41Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Осадчук О. В. Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О.Осадчук // Науковий вісник КУЕІТУ "Нові технології". - 2013. - № 3-4. - С. 64-72.
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8403 621.382 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління
|
|