Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах
Deformation effects in semiconductor structures |
|
| Creator |
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О. |
|
| Subject |
від'ємний опір
тиск напівпровідник транзистор транзисторна структура з від'ємним опором deformation effect semiconductor structures pressure frequency pressure transducers |
|
| Description |
В статті розглянуто вплив деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Показано, що при малих тисках зміна параметрів напівпровідника відбувається за рахунок зміни рухливості носіїв заряду, а при високих тисках – зміна ширини забороненої зони. Представлено розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних і неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
his paper deals with the influence of deformation effects on electrophysical parameters of semiconductors, including silicon. Application frequency signal as informative parameters of primary transducers including pressure transducers, accompanied by high noise immunity transfer, simplicity and a high degree of conversion to digital code, ease of switching in multiinformationmeasuring systems Bipolar and field effect transistors act as a strainsensing element in pressure sensors , so you need more detail to determine the dependence of electrophysical characteristics of semiconductor material of pressure because it is the foundation upon which generated strainsensing element . Strain dependence of semiconductors serve as a foundation for further development of the mathematical model of pressure transducers with a frequency output signal , based on which we can determine the dependence of currentvoltage characteristics of the active and reactive components of the impedance transducer oscillation frequency and sensitivity of the pressure equation . It is shown that at low pressures, changing the electrophysical parameters of the semiconductor is due to changes in carrier mobility , and at high pressures change the width of the gap. Formulas carrier mobility, concentration of essential and non carriers, the band gap of the pressure changes |
|
| Date |
2016-02-18T15:04:21Z
2016-02-18T15:04:21Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Осадчук О. В. Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технічні науки". - 2014. - № 2. - С. 146-149.
2307-5732 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8418 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Хмельницький національний університет
|
|