Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
Modeling impedance region "source-drain" two gate mos transistor under the influence of temperature |
|
Creator |
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О. Павлик, Б. П. Кравчук, Н. С. |
|
Subject |
транзисторна структура з від'ємним опором
температура транзистор від'ємний опір імпеданс impedance two gate MOSFET temperature |
|
Description |
В роботі представлено математичні моделі впливу температури на імпеданс ділянки "витікстік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об`ємі каналу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах.
The paper presents the mathematical model the effect of temperature on the impedance region "sourcedrain" of the two gate MOSFET. The models take into account the surface states on the reactive properties of these structures. The analysis of physical processes on the surface and in the two channel MOSFET gate obtained |
|
Date |
2016-02-18T15:22:05Z
2016-02-18T15:22:05Z 2014-01 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук, Б. В. Павлик, Н. С. Кравчук // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2014. - № 1. - С. 60-66.
2219-9365 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8421 |
|
Language |
uk_UA
|
|
Publisher |
Хмельницький національний університет
|
|