Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від'ємним опором
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від'ємним опором
|
|
Creator |
Осадчук, В.С.
Осадчук, О.В. Барабан, С.В. |
|
Subject |
транзисторна структура з від'ємним опором
транзистор частота від'ємний опір вольт-амперна характеристика температура |
|
Description |
Принцип дії перетворювача, який може бути використаний як чутливий елемент вимірювального пристрою, ґрунтується на реактивних властивостях транзисторної структури, утвореної біполярним транзистором з польовим керуванням (БТПК) з нанесеною на базу плівкою піроелектрика PbTiO3(PTO), покритою чорненим золотом і біполярним транзистором КТ361.
|
|
Date |
2016-02-18T15:49:51Z
2016-02-18T15:49:51Z 2008 |
|
Type |
Thesis
|
|
Identifier |
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8427
621.382: 681.586.776 |
|
Language |
uk_UA
|
|
Publisher |
ВНТУ
|
|