Сучасний стан розвитку методів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Сучасний стан розвитку методів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників
|
|
Creator |
Барабан, С. В.
Гудима, Б. Сінюгін, В. Науменко, І. |
|
Subject |
неруйнівний тепловий контроль
напівпровідник температура випромінювання від'ємний опір частотний перетворювач контроль |
|
Description |
Вхідний контроль завжди відносився до числа першочергових заходів, що забезпечують необхідну якість готової продукції. Проте в сучасних умовах необхідно змінювати сам підхід до реалізації вхідного контролю. Непрямі методи контролю молекулярної структури полягають у вимірюваннях структурно-чутливих характеристик матеріалу, на основі яких робиться висновок про його будову. Одним з таких методів, що несе найбільшу інформативність, дозволяє здійснювати оперативний контроль в процесі промислового виробництва, а також є найбільш чутливим до структурних змін напівпровідників є диференційно-термічний аналіз.
|
|
Date |
2016-02-19T13:38:48Z
2016-02-19T13:38:48Z 2013 |
|
Type |
Thesis
|
|
Identifier |
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8475
|
|
Language |
uk_UA
|
|
Publisher |
Rusnauka
|
|