Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
|
|
| Creator |
Королев, А.М.
Шульга, В.М. |
|
| Subject |
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
|
|
| Description |
Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов Пропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів. The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought |
|
| Date |
2016-04-10T19:42:37Z
2016-04-10T19:42:37Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения
устойчивости малошумящих усилителей
на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98240 537.962: 621.382.32 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика и радиоастрономия
|
|
| Publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України
|
|