Формирование вакуумно-дуговых нитридных покрытий на основе молибдена, содержащих серу
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Формирование вакуумно-дуговых нитридных покрытий на основе молибдена, содержащих серу
|
|
Creator |
Андреев, А.А.
Картмазов, Г.Н. Кострица, Т.В. Романов, А.А. |
|
Description |
The properties of the coatings deposited though vacuum-arc evaporation of the molybdenum in the N2 – H2 S mixture of gases were investigated. The coatings have hardness of 30 – 36 GPa with sulphur amount of several per cents. Hydrogen sulphite in the mixture with nitrogen makes the process of Mo2 N synthesis more active. Исследованы покрытия, которые получены путем вакуумно-дугового испарения молибдена в смеси газов N₂ и H₂ S. Покрытия имеют твердость 30 – 36 ГПа, содержание серы в них достигает нескольких процентов. Сероводород в смеси с азотом активизирует процесс синтеза Mo₂ N. Досліджено покриття, що одержані шляхом вакуумно-дугового випаровування молібдену в суміші газів N₂ та H₂S. Покриття мають твердість 30 – 36 ГПа, вміст сірки в них досягає декількох процентів. Сірководень в суміші з азотом активізує процес синтезу Mo₂N. The properties of the coatings deposited though vacuum-arc evaporation of the molybdenum in the N₂ – H₂S mixture of gases were investigated. The coatings have hardness of 30 – 36 GPa with sulphur amount of several per cents. Hydrogen sulphite in the mixture with nitrogen makes the process of Mo₂N synthesis more active. |
|
Date |
2016-04-14T17:15:35Z
2016-04-14T17:15:35Z 2003 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Формирование вакуумно-дуговых нитридных покрытий на основе молибдена, содержащих серу / А.А. Андреев, Г.Н. Картмазов, Т.В. Кострица, А.А. Романов // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 3-4. — С. 300–303. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98447 621.793.14 : 620.184.187 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|