Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
|
|
| Creator |
Отажонов, С.М.
|
|
| Description |
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля.
Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained. |
|
| Date |
2016-04-15T09:08:40Z
2016-04-15T09:08:40Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98486 621.315. 593 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|