Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков
|
|
| Creator |
Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В. |
|
| Description |
Приведены результаты исследований процессов формирования атомного состава нанослоев соединений А³В⁵ и их твердых растворов при молекулярно-лучевой эпитаксии из ионизированных потоков. Показана важная роль одновременной ионизации как элементов А³ , так и элементов В⁵ для компьютерного управления составом интерфейсов и нанослоев гетероструктур
Наведені результати досліджень процесів формування атомного складу наношарів сполук А³В⁵ і їх твердих розчинів при молекулярно-променевій епітаксіїзіонізованих потоків. Показана важлива роль одночасної іонізації як елементів А³ , так і елементів В⁵ для комп’ютерного управління складом інтерфейсів і наношарів гетероструктур. The results of researches of formation processes of the atomic composition of A³B⁵ nanolayers in Molecular Beam Epitaxy from ion beams. It is shown important role of simultaneous ionization A³ and B⁵ elements for computer formation of composition of heterostructure interfaces and nanolayers. |
|
| Date |
2016-04-15T07:22:43Z
2016-04-15T07:22:43Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков / В. Г. Вербицкий,С.В. Осинский // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 49–53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98474 537.534.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|