Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
|
|
Creator |
Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
|
Description |
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур.
Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів. The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made. |
|
Date |
2016-04-15T07:36:46Z
2016-04-15T07:36:46Z 2004 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98478 535.37 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|