Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
|
|
| Creator |
Бузруков, У. М.
|
|
| Description |
В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм. The results of the research concerning the integral photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are given in the present work. Studied structures are prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from the liquid phase with p type of conductivity and thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with thickness of 350 mм. |
|
| Date |
2016-04-17T17:29:01Z
2016-04-17T17:29:01Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98766 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|