О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
|
|
| Creator |
Вайткус, Ю.Ю.
Юлдашев, Н.Х. Отажонов, С.М. |
|
| Description |
Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете. Запропоновано нову модель АФН-плівки й нові механізми утворення АФН, на основі яких розрахована високовольтна фото-ЭДС за власного і примісного фотопорушення. Теоретично обгрунтована лінійна залежність люкс-вольтової характеристики при малих освітленнях, що підтверджується експериментальними ЛВХ плівки CdTe:Ag у монохроматичному світлі. It was offered a new model for APV film and new mechanisms of APV formation , on the basic of which high-voltage photo emf was calculated at own and admixture light excitation. Theoretically it was predicted a linear dependence of lux-voltage characteristic at low illuminations, which is confirmed by experimental LVC of the CdTe:Ag film in monochromatic light. |
|
| Date |
2016-04-17T17:33:01Z
2016-04-17T17:33:01Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98767 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|