Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
|
|
| Creator |
Ёдгорова, Д.М.
|
|
| Description |
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора. In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is. |
|
| Date |
2016-04-17T17:39:03Z
2016-04-17T17:39:03Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98770 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|