Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
|
|
| Creator |
Дудин, С.В.
|
|
| Description |
Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор. Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться без використання агресивних сполук, які містять хлор і фтор. Technological regimes of anisotropic etching of multilayer GaN-based structures for needs of modern optoelectronics have been developed with use of combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen mixture. Etch rate up to 100 nanometers/ mines have been reached along with selectivity of 6:1 against SiO₂, that shows suitability of the given technology for use in manufacture of white lightemitting diodes. Etching is carried out without use of aggressive gases containing chlorine and a fluorine. |
|
| Date |
2016-04-17T19:15:35Z
2016-04-17T19:15:35Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790 539.198 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|