Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
|
|
| Creator |
Лисовский, В.А.
|
|
| Description |
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.
У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ . . |
|
| Date |
2016-04-17T19:40:46Z
2016-04-17T19:40:46Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 533. 915 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|