Полупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНК
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Полупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНК
|
|
| Creator |
Джелали, В.В.
Волянский, А.Ю. |
|
| Description |
Найдены фундаментальные параметры полупроводниковых нанослоев ДНК, адсорбированных на поверхности металлических электродов. Открыты два новых явления – полупроводниковые свойства индифферентных фоновых растворов электролитов в электрическом поле ДЭС высокой напряженности и полупроводниковый характер фарадеевской емкости, обусловленный туннелированием электронов через молекулярную структуру ДНК, находящуюся в ДЭС и обладающую полупроводниковой проводимостью. Обнаружен новый класс электрохимических реакций, протекающих в жидкой фазе ДЭС и обусловленных наличием переходов полупроводник +ne полупроводник* . Знайдено фундаментальні параметри напівпровідникових наношарів ДНК, адсорбованих на поверхні металевих електродів. Відкрито два нових явища – напівпровідникові властивості індиферентних фонових розчинів електролітів в електричному полі ДЕС високої напруженості і напівпровідниковий характер фарадеєвської ємності зумовлений тунелерованням електронів через молекулярну структуру ДНК, яка знаходиться в ДЕС яка має напівпровідникову провідністю. Виявлено новий клас електрохімічних реакцій, що протікають у рідкій фазі ДЕС і зумовлених наявністю переходів напівпровідник +ne напівпровідник* . The fundamental parameters of semiconductor nanolayers of DNA, adsorbed on-the-spot metallic electrodes are found. Two new phenomena are discovered: are semiconductor properties of indif-ferent base-line solutions of electrolytes in the electric field of high tension double lauer (DEL) and semiconductor character of Faraday capacity conditioned of electrons through the molecular structure of DNA being in DEL and possessing semiconductor conductivity. Found out the new class of electrochemical reactions in the DEL – liquid phase and based on transitions conditioned between semiconductor + ne semiconductor* |
|
| Date |
2016-04-18T07:06:40Z
2016-04-18T07:06:40Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Полупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНК / В.В. Джелали, А.Ю. Волянский // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 172–185. — Бібліогр.: 66 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98829 544.6 + 541.138.3: 539.2: 539.216 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|