Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
|
|
| Creator |
Олимов, Л.О.
|
|
| Description |
В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур. We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures. |
|
| Date |
2016-04-18T17:48:28Z
2016-04-18T17:48:28Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
1999-8074 PACS: 61.82.Fk, 61.72.Mm, 79.40.+z, 61.82.Rx, 73.22.-f, 73.61.-r, 73.90.+f, 73.43.Jn, 73.50.Lw, 72.40.+w, 73.50.Pz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98868 666.3.017 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|