Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
|
|
| Creator |
Мирсагатов, Ш.А.
Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
|
| Description |
В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating. |
|
| Date |
2016-04-19T15:09:00Z
2016-04-19T15:09:00Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98933 53.043;53.023;539.234. |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|