Фототранзистор составной на полевых транзисторах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фототранзистор составной на полевых транзисторах
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. |
|
| Description |
Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в оптических переключателях. Експериментально встановлено, що в складеному польовому транзисторі, де стік першого транзистора з’єднаний зі стоком другого транзистора, а джерело приєднане до затвору з послідовно з’єднаним резистором, при освітленні каналу стокового транзистора струм інжекції через перехід затвора збільшується за рахунок генерованих фотоносіїв, що й призводить до збільшення струму стоку. У випадку порушення затворного транзистора фотогенеровані в p-n-переході затвору неосновні носії призводять до спадання напруги на резисторі. У результатіздійснюється додання напруги до затвору стокового транзистора, що призводить до зменшення струму стоку. Такий складений польовий транзистор може бути використаний в оптичних перемикачах. Experimentally is established that in the compound field-effect transistor, where the drain of the first transistor is connected to the drain of the second transistor, a source is connected to the gate with a resistor which is connected in series, in light of the transistor channel injection current through the gate junction increases due to the generated photocarriers, which leads to an increase in drain current. In the case of excitation of the gate transistor photogenerated in the p-n-junction minority carriers leads to a voltage drop across the resistor. In the result a voltage is added to the gate of the transistor in the drain, which reduces the drain current. Such a compound field-effect transistor can be used in optical switches. |
|
| Date |
2016-04-19T16:42:22Z
2016-04-19T16:42:22Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98963 621.383.52:535.243 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|