Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
|
|
| Creator |
Біщанюк, Т.М.
Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
|
| Description |
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe was revealed |
|
| Date |
2016-05-03T15:11:02Z
2016-05-03T15:11:02Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 621.315.562 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|