Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
|
|
| Creator |
Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
|
| Description |
Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны. Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони. It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band gaps. |
|
| Date |
2016-05-04T15:33:15Z
2016-05-04T15:33:15Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825 539.21: 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|