Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
|
|
| Creator |
Мирсагатов, Ш.А.
Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
|
| Description |
Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482 MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷ 29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него. Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим опором ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am²⁴¹. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання MoO₃ поблизу нього. At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼ 10⁷ Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage. The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am²⁴¹. Energy resolution R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are Mo-contact and oxide MoO₃ between the film and the molybdenum contact. |
|
| Date |
2016-05-04T15:58:35Z
2016-05-04T15:58:35Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829 53.043;53.023.539.234 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|