Разработка технологии производства подложек арсенида галлия для изделий микроэлектроники
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Притчин, С. Э.
|
|
| Date |
2016-05-16T08:05:27Z
2016-05-16T08:05:27Z 2016 |
|
| Identifier |
Притчин, С. Э. Разработка технологии производства подложек арсенида галлия для изделий микроэлектроники : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 "Технология, оборудование и производство электронной техники" / С. Э. Притчин ; М-во образования и науки Украины, Кременчуг. ун-т им. М. Остроградского. – Кременчуг, 2016. – 326 с.
http://hdl.handle.net/123456789/3018 |
|
| Description |
Дисертація присвячена вирішенню актуальної науково-практичної проблеми – підвищенню якості підкладок GaAs шляхом розробки нової технології виготовлення підкладок, удосконалення математичних моделей, удосконалення методик, методів і пристроїв неруйнівного контролю якості підкладок у промислових умовах. За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності с11, с12, с44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема: – методика, пристрій «Полярон – 4» та удосконалено метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaАs; – методика, пристрій «ТВ-Діслок 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaАs; – методика, пристрій «АКІДП – 1» та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaАs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту, який забезпечує точність контролю не менш ± 1.5 мм. Це дозволило за рахунок поліпшення роботи системи управління вирощуванням зменшити рівень залишкових напружень до значення менш ніж 40 МПа та густини дислокації менш ніж 1,3 х 105 см-2. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaАs забезпечила підвищення якості підкладок GaАs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10 %, зменшення щільності дислокацій на 12 %, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5–7 %.The dissertation is devoted to solving actual scientific-practical problem – improving the quality GaAs substrates by developing new manufacturing technology substrates, improvement of mathematical models, improvement of techniques, methods and devices of nondestructive control of substrates quality in industrial environments. Due to results of mathematical modeling data on values of mechanical properties of GaAs substrates at random crystallographic directions are specified. The influence of the magnitude of residual stresses in the elastic constants с11, с12, с44 is defined. The conditions which provide mechanical stability of GaAs substrate under the influence of residual stresses on it are determined. A number of methods and devices are developed in the paper. Also methods in terms of mass production are improved, including: - method, device «Polaron – 4»; method of nondestructive testing of residual stresses in GaAs substrates is improved; - method, device «TV-Dislok 1»; method of nondestructive testing dislocation density in GaAs substrates is improved; - method, device «AKIDP – 1»; method of nondestructive testing of flatness deviation of GaAs substrates is improved. The control device of bar diameter in the process of growth is developed. This device provides precision of control at least ± 1.5 mm. It allowed through better work of system of management of growth to reduce the level of residual stresses to a value less than 40 MPa and dislocation density less than 1.3 x 105 cm-2. The proposed technology of substrates GaAs producing ensured improving the quality substrates GaAs, in particular, reducing residual stresses level by 10 %, reducing the dislocation density by 12 %, reducing the deviations from the flatness of substrates by at least 20 % compared with the existing technology that can increase the output of suitable devices for 5–7 %. |
|
| Language |
uk
|
|
| Subject |
підкладки арсеніду галію
залишкові напруження густина дислокації відхилення від площинності неруйнівний контроль відпал GaAs substrates residual stresses dislocation density deviation from flatness nondestructive control annealing |
|
| Title |
Разработка технологии производства подложек арсенида галлия для изделий микроэлектроники
|
|
| Type |
Abstract
|
|