Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату
|
|
| Creator |
Пилипів, В.М.
Коцюбинський, В.О. Гарпуль, О.З. Гасюк, І.М. |
|
| Subject |
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією.
|
|
| Description |
Представлены результаты анализа поверхности имплантированных ионами Si⁺ с дозой 5•10¹³ см⁻² и энергиями 100—150 кеВ пленок железно-иттриевого ґраната, полученные с помощью рентґеновской фотоэлектронной спектроскопии, установлено относительное содержание основных химических элементов в поверхностном слое, получена информация об особенностях электронных состояний атомов на поверхности, валентных и структурных преобразований, происходящих в поверхностном слое под действием имплантации ионами кремния с разной энергией.
We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією. Remove selected We have presented an analysis surface implanted of ions Si⁺ with dose of 5 • 10¹³ sm⁻² and the energies of 100—150 keV of iron-yttrium garnet films obtained using X-ray photoelectron spectroscopy, established the relative content of major chemical elements in the surface layer, obtained information about the features of electronic states atoms on the surface, the valence and structural changes occurring in the surface layer under implanted silicon with different energy. |
|
| Date |
2016-06-12T04:50:26Z
2016-06-12T04:50:26Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату / В.М. Пилипів, В.О. Коцюбинський, О.З. Гарпуль, І.М. Гасюк // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 39-44. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102619 544.546:548.4 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|