Запис Детальніше

Про фізичну природу метастабільних властивостей аморфних напівпровідників

Електронна бібліотека НАПН України

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Relation http://lib.iitta.gov.ua/704230/
 
Title Про фізичну природу метастабільних властивостей аморфних напівпровідників
On the physical nature of metastable properties of amorphous semiconductors
 
Creator Семеріков, С.О.
Соловйов, В.М.
Максимова, Т.І.
 
Subject 001.89 Organization of science and scientific work
53 Physics
 
Description Проведено ab initio розрахунки нового типу дефекту в матеріалах з ковалентними зв'язками - орієнтаційної дефекту (ОД). ОД є типовим дефектний стан в аморфному тетраедрічному напівпровіднику, в околі якого не відбувається радикальної перебудови хімічних зв'язків: останні відчувають лише кутові і радіальні деформації. Існування орієнтаційних дефектів дозволяє переглянути традиційні уявлення про метастабільні властивості аморфних речовин і несуперечливо інтерпретувати широкий спектр особливостей їх поведінки як в умовах термодинамічної рівноваги, так і в стані, далекому від рівноважного (наприклад, ефект Стеблер-Вронського). Крім того, ОД можна розглядати як модель ангармонічні міжатомних потенціалів, які обумовлюють низькотемпературні аномалії фізичних властивостей невпорядкованих матеріалів. Деякі з них вперше розглянуті з нових позицій.
Carried out ab initio calculations of a new type of defect in materials with covalent bonds - orientation defect (OD). OD is a typical defective condition in the tetrahedral amorphous semiconductor in the vicinity of which there is no radical restructuring of chemical bonds: the last test only angular and radial deformation. The existence of orientation defects allows to review traditional ideas about the properties of metastable amorphous substances and consistently interpret a wide range of features of their behavior under conditions of thermodynamic equilibrium, and in a state far from equilibrium (for example, the effect Staebler-Wronski). In addition, money laundering can be seen as a model of anharmonic interatomic potentials, causing low-temperature anomalies of the physical properties of disordered materials. Some of them for the first time considered from a new angle.
 
Publisher Видавництво Східноукраїнського державного університету
 
Date 1998
 
Type Article
PeerReviewed
 
Format text
 
Language uk
 
Identifier http://lib.iitta.gov.ua/704230/1/METASTAB.pdf
Семеріков, С.О. and Соловйов, В.М. and Максимова, Т.І. (1998) On the physical nature of metastable properties of amorphous semiconductors Збірник наукових праць Східноукраїнського державного університету. Серія «Машинобудування», 1.