Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
|
|
| Creator |
Лукин, К.А.
Максимов, П.П. |
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона.
Приведено результати чисельного рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових pn–i–pn-структур з різкими лавинними p–n-переходами. Виявлено режим багаточастотних автоколивань в Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з постійним зворотним зсувом. Досліджено механізм збудження автоколивань і виконано спектральний аналіз. Показано, що напівпровідникові структури з різкими p–n-переходами є автоколивальною системою. На їх основі можуть бути створені багаточастотні генератори НВЧ-діапазону. The results of the numeral solution to the equations of diffusive-drifting model of pn–i–pn-structures with abrupt avalanche p-n-junctions are presented. The regime of multifrequency self-oscillations in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with the constant reversed bias is discovered. The mechanism of their excitation is explored and the spectral analysis is executed. It is shown that the semiconductor structure with abrupt p-n-junctions is the self-oscillations system. On the basis of the back displaced Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with optimum parameters multifrequency generators of SHF-range can be created |
|
| Date |
2016-09-07T16:15:07Z
2016-09-07T16:15:07Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731 537.862:621.373.5 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|