Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe
|
|
| Creator |
Абашин, С.Л.
Комарь, В.К. Наливайко, Д.П. Олейник, С.В. Пузиков, В.М. Ром, М.А. Сулима, С.В. Чугай, О.Н. |
|
| Subject |
Радиофизика твердого тела и плазмы
|
|
| Description |
Установлено различие величин удельного электросопротивления ρ кристаллов Сd1–x ZnxTe (х = 0,12…0,16), измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией (ДР). Для оценки вклада ДР в предложено использовать функцию распределения релаксаторов по частоте, которая может быть найдена из частотной зависимости диэлектрической проницаемости (ДП) кристалла.
Встановлено відмінність величин питомого електроопору ρ кристалів Сd1–xZnxTe (х = 0,12…0,16), виміряних в постійному та змінному електричних полях. Показано, що ця відмінність пов’язана з дисипацією енергії змінного електричного поля, яка обумовлена діелектричною релаксацією. Для оцінки внеску діелектричної релаксації в запропоновано використовувати функцію розподілу релаксаторів за частотою, яку може бути отримано з частотної залежності діелектричної проникності кристала. The difference in values of electric resistivity ρ measured in both stationary and alternating electric fields was established for Сd1–xZnxTe crystals (х = 0,12…0,16). It was shown that this difference is related to energy dissipation of alternating electric field caused by dielectric relaxation (DR). To evaluate the contribution of DR in , it was proposed to employ a relaxation oscillator frequency distribution function, which can be found from the frequency dependence of crystal permittivity. |
|
| Date |
2016-09-10T17:52:09Z
2016-09-10T17:52:09Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe / С.Л. Абашин, В.К. Комарь, Д.П. Наливайко, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, М.А. Ром, С.В. Сулима, О.Н. Чугай // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 1(15), № 3. — С. 71-77. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105818 537.226.2/3 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|