Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
|
|
Creator |
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В. Клименко, О.А. Стороженко, И.П. |
|
Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
Description |
Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.
Досліджено вольтамперні характеристики та ефективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами (РТМ) в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Розглянуто одно- і дворівневі моделі РТМ. Оцінено частотну межу роботи діодів з РТМ. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з РТМ у діапазоні кілька десятків гігагерц. We study the current-voltage characteristics and the efficiency of generation diodes with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type based on GaAs. We consider single-level and two-level model of the resonant-tunnel border. Frequency limit of the diode with resonant-tunnel border was estimated. A possibility of harmonic generation and frequency multiplication of the diodes with resonant tunnel border in the range of tens to hundreds of GHz was shown. |
|
Date |
2016-09-12T19:09:36Z
2016-09-12T19:09:36Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко, И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 72-78. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105898 621.382.2 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|