Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
|
|
| Creator |
Стороженко, И.П.
|
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.
Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом. The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given. |
|
| Date |
2016-09-12T19:09:48Z
2016-09-12T19:09:48Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|