Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией
|
|
| Creator |
Гончарук, Н.М.
Карушкин, Н.Ф. Малышко, В.В. Ореховский, В.А. |
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели малосигнального импеданса с учетом времени задержки инжекции электрона, которое сравнимо с его временем пролета для данного диода.
У даній роботі вперше запропоновано та досліджено діод на основі однобар’єрної наноструктури з нерезонансним тунелюванням електронів та їх подальшим дрейфом в пролітному шарі. Дослідження проводились в рамках моделі малосигнального імпедансу з урахуванням часу затримки інжекції електрона, який можна порівняти з його часом прольоту для даного діода. In this work for the first time the diode on the base of single-barrier nanostructure with non-resonance electron tunneling and subsequent drift in transit layer has been investigated. The research was conducted in the framework of impedance small-signal model with considering delay time of electron injection, which is comparable with electron transit time of the diode. |
|
| Date |
2016-09-14T16:58:00Z
2016-09-14T16:58:00Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.А. Ореховский // Радіофізика та електроніка. — 2013. — Т. 4(18), № 3. — С. 69-78. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105997 621.382.2.029.64 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|