Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
|
|
Creator |
Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н. Аркуша, Ю.В. |
|
Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
Description |
В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN.
У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN. The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution. |
|
Date |
2016-09-16T05:42:54Z
2016-09-16T05:42:54Z 2014 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106070 621.382.2 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Радіофізика та електроніка
|
|
Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|