Запис Детальніше

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
 
Creator Стороженко, И.П.
Ярошенко, А.Н.
Аркуша, Ю.В.
 
Subject Вакуумная и твердотельная электроника
 
Description В статье представлены результаты численных экспериментов по генерации электромагнитных колебаний в диапазоне 0,03…0,7 ТГц с помощью n+–n–n+-диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых соединений InBN и GaBN при различном распределении BN.
У статті наведено результати числових експериментів з генерації електромагнітних коливань у діапазоні 0,03...0,7 ТГц за допомогою n+–n–n+-діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових сполук InBN і GaBN при різному розподілі BN.
The paper presents the results of numerical experiments on the oscillation generation in the range of 0.03...0.7 THz using the n+–n–n+ Gunn diodes based on InBN and GaBN graded gap semiconductor compounds at different BN distribution.
 
Date 2016-09-16T05:42:54Z
2016-09-16T05:42:54Z
2014
 
Type Article
 
Identifier Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN / И.П. Стороженко, А.Н. Ярошенко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 2. — С. 77-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1028-821X
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106070
621.382.2
 
Language ru
 
Relation Радіофізика та електроніка
 
Publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України