The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures
Основные характеристики SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов при низких температурах Основні характеристики SiGe біполярних гетеротранзисторів за низьких температур |
|
| Creator |
Dvornikov, О. V.
Tchekhovski, V. А. Dziatlau, V. L. Prokopenko, N. N. |
|
| Subject |
—
SiGe bipolar transistors; low temperatures; temperature of liquid nitrogen — SiGe биполярные транзисторы; низкие температуры; температура жидкого азота 621.382 SiGe біполярні транзистори; низькі температури; температура рідкого азоту |
|
| Description |
The current-voltage curves (CVC) of n-p-n SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) are considered within the temperature range from minus -195˚С up to 25˚С, produced on the SGB25V technology of IHP. The experimental setup, the measurement technique and the connection features of transistors for elimination of the self-excitation are described. The special attention is paid to the temperature dependences of the static base current gain βF in the common-emitter configuration (CEC) and to the output CVC characteristics of transistor in the CEC.
Рассмотрены вольтамперные характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe биполярных транзисторов (БТ) в диапазоне температур от минус 195˚С до 25˚С, изготовленных по технологическому маршруту SGB25V фирмы IHP. Описана экспериментальная установка, методика измерений и особенности включения транзисторов для устранения эффекта самовозбуждения. Особое внимание уделено температурным зависимостям статического коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмиттером (ОЭ) βF и выходной ВАХ транзистора в схеме ОЭ. Розглянуті вольт-амперні характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe біполярних транзисторів (БТ) в діапазоні температур від мінус 195˚С до 25˚С, що виготовлені по технологічному маршруту SGB25V фірми IHP. Описана експериментальна установка, методика вимірювань і особливості ввімкнення транзисторів для усунення ефекту самозбудження. Особливу увагу приділено температурним залежностям статичного коефіцієнту підсилення струму бази в схемі з спільним емітером βF і вихідної ВАХ транзистора в схемі з спільним емітером. |
|
| Publisher |
НТУУ "КПІ"
|
|
| Contributor |
The research is carried out at the expense of the Grant of the Russian Science Foundation (project № 16-19-00122).
— — |
|
| Date |
2016-09-30
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion — — — |
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1340
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 66 (2016)
Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 66 (2016) Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 66 (2016) 2310-0389 2310-0397 |
|
| Language |
en
|
|
| Rights |
##submission.copyrightStatement##
|
|