Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії
|
|
| Creator |
Плющай, І.В.
Плющай, О.І. Макара, В.А. |
|
| Subject |
Электронные структура и свойства
|
|
| Description |
Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении.
Методом функціоналу густини в узагальненому ґрадієнтному наближенні розраховано електронний спектр крайової дислокації в кристалічному кремнії та електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню у міжвузловинному положенні. Both the electronic spectrum of the edge dislocation in crystalline Si and the electronic spectrum of supercell with 64 Si atoms and one oxygen atom in the interstitial position are calculated, using the density functional theory within the generalized gradient approximation. |
|
| Date |
2016-10-09T14:20:01Z
2016-10-09T14:20:01Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії / І.В. Плющай, О.І. Плющай, В.А. Макара // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 5. — С. 589-596. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
1024-1809 PACS: 71.10.Fd, 71.20.Be, 71.27.+a, 71.28.+d, 71.55.Jv, 75.10.Lp, DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.05.0589 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106942 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Металлофизика и новейшие технологии
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|